CAS 号: 1314-13-2

MDL No.: MFCD00011300

产品编号: Z820825

分子式: ZnO

分子量: 81.39

纯度: 99.9% metals basis，200nm

CAS 号: 1314-13-2

MDL No.: MFCD00011300

产品编号: Z820774

分子式: ZnO

分子量: 81.39

纯度: 99.8% metals basis，50±10nm

CAS 号: 1314-13-2

MDL No.: MFCD00011300

产品编号: Z820773

分子式: ZnO

分子量: 81.39

纯度: 99.8% metals basis，90±10nm

CAS 号: 1314-13-2

MDL No.: MFCD00011300

产品编号: Z820772

分子式: ZnO

分子量: 81.39

纯度: 99.9% metals basis,30±10nm

CAS 号: 1312-43-2

MDL No.: MFCD00011060

产品编号: SD-I811755

分子式: In₂O₃

分子量: 277.63

纯度: 99.99% metals basis， 铟含量≥ 83%。黄色粉末，不溶于水、溶于己烷和甲苯，与酸不相容。氧化铟具有较宽禁带宽度、较小电阻率和较高的催化活性，是一种重要的n型半导体。【应用方向】：光学镀膜材料，薄膜沉积技术，生产可调节电、光学或催化性能的透明导电涂层、半导体电容器、栅极电介质，气体传感器，ITO膜，光谱纯试剂、透镜和光子器件、荧光玻璃、陶瓷、化学试剂等领域。

CAS 号: 1312-43-2

MDL No.: MFCD00011060

产品编号: SD-I874875

分子式: In₂O₃

分子量: 277.63

纯度: 99.995+% metals basis;氧化铟是一种重要的N型透明半导体功能材料。间隙宽度宽，电阻率小，催化活性高。当氧化铟颗粒达到纳米级时，还具有表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧穿效应。【研究与应用方向】：光学镀膜材料，ITO靶标，半导体晶体培育，化学气相沉积 （CVD） 和物理气相沉积 （PVD） 等沉积工艺 ；臭氧和二氧化氮的气体感器; 紫外激光器和检测器; 太阳能设备的热镜，电场致发光显示器，光电转换器，低辐射率窗口; 光限幅器，电光调制器，透明导电电极。

CAS 号: 1344-28-1

MDL No.: MFCD00003424

产品编号: A801482

分子式: Al₂O₃

分子量: 101.96

纯度: 30 nm 粒径, 20 wt. % 异丙醇溶液

CAS 号: 1344-28-1

MDL No.: MFCD00003424

产品编号: A801483

分子式: Al₂O₃

分子量: 101.96

纯度: 5-10 nm 粒径, 20 wt. % 水溶液

CAS 号: 1344-28-1

MDL No.: MFCD00003424

产品编号: A800207

分子式: Al₂O₃

分子量: 101.96

纯度: 99.9% metals basis,α相,30nm,亲水型

CAS 号: 1344-28-1

MDL No.: MFCD00003424

产品编号: A801481

分子式: Al₂O₃

分子量: 101.96

纯度: 99.99% metals basis,α相,30nm

CAS 号: 1344-28-1

MDL No.: MFCD00003424

产品编号: A801480

分子式: Al₂O₃

分子量: 101.96

纯度: 99.9% metals basis,α相,30nm,亲油型

CAS 号: 1344-28-1

MDL No.: MFCD00003424

产品编号: A800941

分子式: Al₂O₃

分子量: 101.96

纯度: 99.99% metals basis,γ相,10nm