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Silver oxide | Ag2O高纯氧化银 | 一氧化二银 | 超细氧化银 | Purity: >99.99%, APS: ~2umCAS 号: 20667-12-3
MDL No.: MFCD00003404
产品编号: SD-S818343
分子式: Ag2O
分子量: 231.74
纯度: 99.99% metals basis,银含量:≥93.0%;比表面积:59m3/kg, 棕黑色立方晶系粉末,不溶于水,但在硝酸、氨水及氰化钾、硫代硫酸钠等溶液中极易溶解,受热易分解成单质。在空气中会吸收二氧化碳变为碳酸银。在有机合成中,利用其羟基置换卤素,或用作氧化剂。应用范围:1,主要用于电子工业和有机合成;2,医药化学催化剂;3,电子元器件浆料;4,高端玻璃变色染色剂;5,新型LED/OLED;柔性显示屏;6,感光性银浆
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Iridium oxide hydrate | IrO2·xH2O氧化铱 | 氧化铱水合物CAS 号: 30980-84-8
MDL No.: MFCD00192232
产品编号: SA-I812124
分子式: IrO2·xH2O
分子量: 224.22
纯度: 99.9%,Ir:73%,蓝黑色粉末,具有卓越的电化学催化活性、高稳定性、导电、良好的生物相容性。【研究与应用方向】: 析氧反应(OER)催化剂,燃料电池电极材料,工业电解阳极涂层,高灵敏度生物传感,超级电容器。
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Chromium sesquioxide | Cr2O3三氧化二铬 | 氧化铬绿CAS 号: 1308-38-9
MDL No.: MFCD00010949
产品编号: SA-C805714
分子式: Cr2O3
分子量: 151.99
纯度: 99.95% metals basis,鲜艳绿色结晶粉末,六方晶系。有磁性 , 密度:5.21 - 5.22 g/cm³ 。Cr₂O₃凭借其着色力强、遮盖力好、超高稳定性、晶体硬度,已成为颜料、冶金、耐火材料领域的经典无机材料;在纳米化、电化学传感及三元催化氧化物等前沿方向展现出重要价值。【应用方向】:冶金,颜料/涂料,着色玻璃,磨料/抛光,折光材料,耐火材料,催化剂。
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Hafnium oxide氧化铪(IV) | 二氧化铪 | 微米氧化铪粉末 | Purity:> 99.9%CAS 号: 12055-23-1
MDL No.: MFCD00003565
产品编号: SD-H811148
分子式: HfO2
分子量: 210.49
纯度: 99.9% metals basis;白色晶体;难溶于水,不溶于盐酸和硝酸,溶于浓硫酸和氢氟酸。化学性质不活泼,具有薄膜特性:透光范围:~220~12000nm;折射率(250nm):~2.15 (500nm)~2, 高熔点,具有宽带隙和高介电常数,紫外波段优良,成膜致密坚硬且稳定。【应用方向】:电子束蒸发镀制紫外膜、防反膜、高反膜、紫外-近红外多层膜; 高温结构材料、热电偶等器件绝缘中的耐火材料、DRAM电容器中的高κ电介质、抗放射性涂料。
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Hafnium(IV) oxide Nanopowder | HfO2氧化铪(IV) | 二氧化铪 | 纳米氧化铪 | Purity:> 99.99%;; APS(D50): 100nm,200nm,500nm,2μmCAS 号: 12055-23-1
MDL No.: MFCD00003565
产品编号: SD-H811551
分子式: HfO2
分子量: 210.49
纯度: 99.99% metals basis;ZrO2<0.4%;高温蒸气湿化学法生产,白色近球形粉末。氧化铪是带隙约 6 eV 的电绝缘体、高熔点、高介电常数的陶瓷材料。难溶于水,可溶于浓硫酸和氢氟酸。具有薄膜特性:透光范围:~220~12000nm;折射率(250nm):~2.15 (500nm)~2。【研究与应用】:红外镀膜材料、DRAM电容器中的高k电介质、集成电路、高温结构材料、耐火材料、介电材料、抗放射性涂料和催化剂。
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Thulium oxide | Tm2O3氧化铥 | 三氧化二铥CAS 号: 12036-44-1
MDL No.: MFCD00011285
产品编号: SA-T819027
分子式: Tm2O3
分子量: 385.87
纯度: 99.99+% metals basis,萃取色谱分离法制备,类白色粉末,密度:约8.6 g/cm³,不溶于水,能缓慢溶于强酸(如热硫酸),在空气中易吸收水分和二氧化碳。不导电,具有高介电常数(约12-13)和约5 eV的宽带隙。【研究与应用】:荧光粉的激活剂,激光、光纤及特种光学玻璃;X射线机辐射源,半导体钝化层,光动力肿瘤治疗研究。
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Copper molybdenum oxide钼酸铜 | 铜钼氧化物 | 氧化铜钼CAS 号: 13767-34-5
MDL No.: MFCD00016057
产品编号: SA-C922307
分子式: CuMoO₄
分子量: 223.49
纯度: 99.95+% metals basis,黄绿色粉末,密度:3.4 g/cm3,尖晶石结构,具有超低的650°C烧结温度、顺磁性、电子传导能力、吸收可见光、电致变色特性,催化活性源于铜和钼氧化还原中心Cu²⁺/Cu⁺ 和 Mo⁶⁺协同效应和丰富的反应位点。【研究与应用方向】:催化与能源转换,电极材料用于高性能储能,超低温共烧陶瓷,光催化降解染料,电化学传感,抗菌材料。
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Thulium Oxide氧化铥
CAS 号: 39455-81-7
MDL No.:
产品编号: T856177
分子式: O3Tm2
分子量: 385.86
纯度: 99.99%
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ITO | Indium Tin Oxide Nanopowder高纯氧化铟锡 | 纳米氧化铟锡 | APS: 30nm,50nm,200nm,500nm,2μm)CAS 号: 50926-11-9
MDL No.: MFCD00171662
产品编号: SD-I812170
分子式: In2O3/SnO2
分子量: 428.34
纯度: 99.95+%,氧化铟锡是铟(III族)氧化物(In2O3) and锡(IV族)氧化物(SnO2)的混合物,比例:90%In2O3,10% SnO2。具有非常优异的导电性、透明度和稳定性。【应用方向】:透明导电体,光学涂料,电磁(EMI)屏蔽、介电润滑和VCSEL激光器反射器;LCD、OLED、等离子体、电致发光和电致变色显示器,有机发光二极管、太阳能电池、抗静电镀膜,EMI屏蔽的透明传导镀膜,红外反射涂层。
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Indium oxide氧化铟CAS 号: 1312-43-2
MDL No.: MFCD00011060
产品编号: I875140
分子式: In2O3
分子量: 277.63
纯度: 99.9% metals basis
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Indium oxide | In2O3氧化铟蒸发材料 | 三氧化二铟 | Size: 2000目CAS 号: 1312-43-2
MDL No.: MFCD00011060
产品编号: SD-I875139
分子式: In2O3
分子量: 277.63
纯度: 99.99% metals basis,外观:淡黄色粉末;【应用方向】:光学镀膜材料,用于半导体沉积、化学气相沉积 (CVD) 和物理气相沉积 (PVD) 等沉积工艺 ; 光学器件,包括磨损保护、装饰涂层和显示器。
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Aluminum oxide氧化铝 金属基,α晶型约90%,晶型γ约10%CAS 号: 1344-28-1
MDL No.: MFCD00003424
产品编号: A811450
分子式: Al2O3
分子量: 101.96
纯度: 99.99% metals basis,α晶型约90%,晶型γ约10%,50nm